有研硅获得发明专利授权：“一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法”
2024年08月14日 阅读:70672
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法”，专利申请号为CN202211670509.8，授权日为2024年8月13日。
专利摘要：本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90?110μm，粒径为5?12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。
今年以来有研硅新获得专利授权10个，较去年同期增加了100%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4307.73万元，同比减0.92%。
数据来源：天眼查APP
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